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| 等离子体原子层沉积系统 | 项目编号****点击查看 | |
| 2024-11-14 15:23:06 | 公告截止日期2024-11-15 16:00:00 | |
| ****点击查看 | 付款方式合同签定生效后，预付合同总额的 40%；货物到达需方指定地点并安装验收合格，双方签字确认后，七个工作日内支付合同总额的 60%余款。 | |
| 联系电话 | ||
| 到货时间要求 | 按照合同约定执行 | |
| ￥ | ||
| ****点击查看**校区电****点击查看学院盛帆楼568 | ||
| 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 等离子体原子层沉积系统 | 1 | 台 |
| 普迪真空 |
| PDALD-PE200B |
| ￥ |
| 铝型材机架和防指纹不锈钢面板，15寸悬停式触摸屏操作； 样品台尺寸：最大可放置8英寸样品，兼容8inch及以下样品尺寸； ★样品加热：真空内铠装加热盘，8英寸内样品表面加热温度最高可达350℃，温度控制精度 ±0.5℃；加热器表面设置有铝片托； ★反应腔室：开盖式反应腔室设计，腔室由不锈钢主腔体和铝上腔盖及与铝源连接的远程等离子体反应室组成，不锈钢腔室电解抛光处理，铝腔室内外表面阳极氧化处理；真空腔室真空漏率小于5*10-10Pa.m3/s； ★等离子体发生系统：远程射频感应耦合等离子体发生系统（Remote ICP），射频电源功率最高500W，搭载全自动射频匹配器；等离子体产生腔室与样品台的距离不小于50mm，配置2路独立的等离子体气体质量流量计（氮氢混合气和氧气），另预留1路气体接口，流量控制精度小于满量程的1%； 真空系统：配置高性能双极旋片真空泵，抽速≥40 m3/h，满足对本底真空和原子层沉积工艺的要求； 真空计：配置MKS高性能宽量程陶瓷和皮拉尼复合真空计用于压强变化的实时监测，压力检测范围为10-5~103 Torr； ★独立前驱体源：前驱体源全部放置于型材机柜内，金属前驱体源和水前驱体源采用两 个独立的进气口输运到真空反应腔室，每路配置独立的吹扫流量计和管道；在未进入反 应腔室前不能混合，避免前驱体源在输运管道到发生交叉污染；前驱体源吹扫管道最大 加热温度可达到200℃，温度控制精度±0.5℃； 前驱体源路数：4路加热前驱体源和1路常温前驱体源，每路加热前驱体源系统的最大加 热温度可达到200℃，温度控制精度±0.5℃。每路源配ALD专用阀门，高温手动隔膜阀和 50mL不锈钢源瓶； 吹扫流量计：2路，控制精度小于满量程的1%，重复精度小于满量程的±0.2%； ★控制硬件：PLC+4U工控机+触摸屏操作，可连续24小时安全运行，具有温度异常软件和硬件自锁功能和压缩空气欠压报警功能，充分保护仪器的运行安全； 自动控制软件：可以用软件在计算机上设定薄膜沉积条件及工艺参数，能全自动运行， 并可以显示系统运行中的各个参数；控制设备的各个单元包括真空泵、前驱体源、加热温度、气体流量、沉积压强以及配方参数运行状态等；控制软件能够记录阀门开关次数和累计运行次数； 电源：380V三相五线交流电源，功率15 KW； ★沉积非均匀性：在8英寸晶圆上，200℃沉积温度下，水基氧化铝沉积500cycle厚氧化铝薄膜，以晶圆上9个均匀分散点进行椭偏仪测试膜厚，氧化铝膜厚非均匀性<±1.5%； 配套工艺：提供氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化硅、氧化锌、氧化钛、氧化锡、氧化稼等氧化物等材料的沉积工艺。 |
| 按国家法定或行业要求提供售后服务。 |
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